שבב NCP81071A דוחף זרם עד 5A דו-כיווני לשער מוספט

• ה־NCP81071A הוא דרייבר Gate ל־MOSFET,

• מדובר בדרייבר בצד נמוך, כלומר שולט ב־MOSFET המוגדר בין העומס לאדמה (GND).

• הרכיב מיועד להפעלה מהירה של MOSFET בהספק גבוה או בינוני, כאשר נדרש מעבר מהיר בין מצבי ON/OFF.

מפרט ונתונים טכניים

• מתח עבודה (VDD): 4.5V עד 13.2V.

• מתח כניסה (Input logic): תואם TTL/CMOS.

• זרם מוצא (Sink/Source Current): עד ±5A (טיפוסי), מאפשר טעינה/פריקה מהירה של קיבול שער MOSFET.

• זמן עלייה/ירידה (Rise/Fall Time): מהיר מאוד, סביב 20 ננו־שנייה (תלוי בקיבול העומס).

• טווח טמפרטורה: ‎−40°C עד +140°C (מדרגת Junction).

• צריכת זרם שקטה (Quiescent Current): נמוכה מאוד, טיפוסי 1 µA במצב כבוי.

• הגנות מובנות:

  • הגנת UVLO (Under Voltage LockOut) – מונעת עבודה במתח נמוך.

  • אפשרות למימוש Dead-time control במערכות מרובות דרייברים (עם גרסאות מסוימות)

• מארז: SOIC-8.
• יצרן: onsemi.

שימושים

• הפעלת MOSFET בצד נמוך במערכות הספק (DC-DC Converters, Inverters).

• דרייבר לשלב מוצא במערכות ספקי כוח ממותגים (Switching Power Supplies).

• שליטה במנועים ו־Pumps (באמצעות MOSFET).

• מערכות תקשורת מהירה או RF Power Stages שבהן נדרש מיתוג מהיר.

• מעגלי UPS, סוללות, טעינה מהירה – לשיפור יעילות המיתוג.

• כל יישום בו נדרש להפעיל MOSFET עם קיבול שער גדול במהירויות גבוהות.